خصائص المنتج
نوع الألياف: G.657A1 (متوافق مع G.652D)
معيار B1.3 / B6a1 الذي أوصت به اللجنة الكهروتقنية الدولية. التوهين المنخفض والتشتت وعدم حساسية الانحناء ، متوافق مع الألياف الضوئية G.652.D و G.657.A1 ، يناسب العملية على الطيف البصري الكامل من 128 0 نانومتر إلى 1625 نانومتر عن طريق قمع امتصاص الهيدروكسيل (OH-) بالقرب من 1383 نانومتر أقل من 0.33 ديسيبل / كم.
العنصر | تخصيص | وحدة | ||
توهين | 1310 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 350 | (ديسيبل / كم) | |
1383 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 330 | (ديسيبل / كم) | ||
1550 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 210 | (ديسيبل / كم) | ||
1625 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 240 | (ديسيبل / كم) | ||
فرق التوهين مقابل الطول الموجي | 1285 نانومتر -1330 نانومتر المرجع. 1310 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 05 | (ديسيبل / كم) (ديسيبل / كم) | |
1525 نانومتر -1575 نانومتر المرجع. 1550 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 05 | (ديسيبل / كم) (ديسيبل / كم) | ||
انقطاع النقطة | 1310 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 015 | (ديسيبل) | |
1383 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 03 | (ديسيبل) | ||
1550 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 03 | (ديسيبل) | ||
1625 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 03 | (ديسيبل) | ||
تشتت | 1288 نانومتر -1339 نانومتر | ∣D∣ أقل من أو يساوي 3.4 | (ملاحظة / نانومتر.كم) | |
1271 نانومتر -1360 نانومتر | ∣D∣ أقل من أو يساوي 5.3 | (ملاحظة / نانومتر.كم) | ||
1480 نانومتر -1580 نانومتر | أقل من أو يساوي 20 | (ملاحظة / نانومتر.كم) | ||
1550 نانومتر | أقل من أو يساوي 17.5 | (ملاحظة / نانومتر.كم) | ||
الطول الموجي للتشتت الصفري | 1300-1324 | (نانومتر) | ||
منحدر تشتت صفري | أصغر من أو يساوي 0. 092 | (ps / nm2.km) | ||
PMD | فرد PMD | أصغر من أو يساوي 0 .15 | (ملاحظة / √km) | |
تصميم ارتباط PMD | أصغر من أو يساوي 0 .20 | (ملاحظة / √km) | ||
قطر الكسوة | 125±0.7 | (μm) | ||
تكسية غير دائرية | أصغر من أو يساوي 1. 0 | ( نسبه مئويه ) | ||
خطأ تركيز اللب / الكسوة | أصغر من أو يساوي 0 .5 | (μm) | ||
قطر الطلاء | 242±7 | (μm) | ||
طلاء / خطأ تركيز الكسوة | أصغر من أو يساوي 12. 0 | (μm) | ||
وضع قطر المجال | 1310 نانومتر | 9.2±0.4 | (μm) | |
الطول الموجي المقطوع | غير ممكّن | 1180-1330 | (نانومتر) | |
برق | أقل من أو يساوي 1260 | (نانومتر) | ||
خسارة Macrobend | نصف القطر | 15 | 10 | (مم) |
يتحول | 10 | 1 | (منعطف أو دور) | |
1550 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0 25 | أصغر من أو يساوي 0 75 | (ديسيبل) | |
1625 نانومتر | أصغر من أو يساوي 1. 0 | أقل من أو يساوي 1.5 | (ديسيبل) | |
اختبار مقاومة | أكبر من أو يساوي 0. 79 جيجا باسكال | (المعدل التراكمي) | ||
تجعيد الألياف | أكبر من أو يساوي 5 | (m) | ||
التعب الديناميكي | أكبر من أو يساوي 20 | (اختصار الثاني) | ||
دورة درجة الحرارة (-60 درجة إلى 85 درجة) | 1310 نانومتر و 1550 نانومتر | أصغر من أو يساوي 0. 03 | (ديسيبل / كم) | |
غمر المياه (23 درجة ± 2 درجة) | أصغر من أو يساوي 0. 03 | (ديسيبل / كم) | ||
شيخوخة الحرارة والرطوبة (85 درجة عند 85 بالمائة رطوبة نسبية) | أصغر من أو يساوي 0. 03 | (ديسيبل / كم) | ||
شيخوخة درجات الحرارة العالية (85 درجة ± 2 درجة) | أصغر من أو يساوي 0. 03 | (ديسيبل / كم) | ||
الوسم : g.657a1 متوافق ع 652 د
